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SXJS-IV出口型智能化介質(zhì)損耗測(cè)試儀性能特點(diǎn)

SXJS-IV出口型智能化介質(zhì)損耗測(cè)試儀產(chǎn)品結(jié)構(gòu)： 
儀器為升壓與測(cè)量一體化結(jié)構(gòu)，輸出電壓2.5KV～10KV五檔可調(diào)，以適應(yīng)各種需要，在測(cè)量時(shí)無(wú)需任何外部設(shè)備。接線與QSI電橋相似，但比其方便。
（1）顯示窗------------------------液晶顯示屏。
（2）試驗(yàn)電壓選擇開關(guān)--------------當(dāng)開關(guān)置于“關(guān)”時(shí)，儀器無(wú)高壓輸出。
（3）操作鍵盤---------------------選擇測(cè)量方式、起動(dòng)、停止、打印等操作。
（4）電源插座---------------------保險(xiǎn)絲用。
（5）電源開關(guān)---------------------電源通斷。
（6、7）起動(dòng)燈--------------------指示高壓輸出。
（8） 打印機(jī)----------------------- 打印測(cè)試結(jié)果。
★（9）接地端子-------------------使用前，必須將端子可靠接地！！！
★（10）SXJS-IV出口型智能化介質(zhì)損耗測(cè)試儀測(cè)量電流輸出端IX------------有兩個(gè)出線頭，中心頭（紅色，有CX標(biāo)記）應(yīng)與被試品一端相接，屏蔽頭（黑色，有E標(biāo)記）是儀器內(nèi)部高壓變壓器的一個(gè)輸出端，在正接法測(cè)量時(shí)應(yīng)接地；在反接法測(cè)量時(shí)應(yīng)浮空；外接法參見“外接高壓法”。
★（11）標(biāo)準(zhǔn)電流輸入端IN-----------僅當(dāng)外接標(biāo)準(zhǔn)電容器進(jìn)行測(cè)量時(shí)才用，該端應(yīng)與外接標(biāo)準(zhǔn)電容器一端相連。IN必須小于100mA！！！
（12）測(cè)量高壓輸出端UH-----------只有一個(gè)大鐵夾出線頭（有UH標(biāo)記），與被子試品一端相連接，是儀器內(nèi)部高壓變壓器的另一輸出端。

SXJS-IV出口型智能化介質(zhì)損耗測(cè)試儀性能特點(diǎn)：
◆SXJS-IV出口型智能化介質(zhì)損耗測(cè)試儀具有多種測(cè)量方式,可選擇正/反接線、內(nèi)外標(biāo)準(zhǔn)電容器、CVT測(cè)量（無(wú)需外接升壓器，儀器內(nèi)自帶電源）、內(nèi)/外試驗(yàn)電壓進(jìn)行測(cè)量。可C1/C2同時(shí)測(cè)量。
◆測(cè)量、重復(fù)性好：儀器具有很高有測(cè)試進(jìn)度，介損測(cè)試的基本誤差小于0.0005并且測(cè)試數(shù)據(jù)重復(fù)性*。
◆高壓短路和突然斷電時(shí)，食品能迅速切斷高壓，并發(fā)出警告信息。
◆高壓輸出插痤，無(wú)外露，安全可靠
◆高壓絕緣導(dǎo)線：高壓導(dǎo)線的絕緣程度不僅涉及到安全性，而且其對(duì)地泄漏直接影響到反接測(cè)試的準(zhǔn)確度。高壓輸出導(dǎo)線采用特殊材料專門制作，能直接拖地使用。10KV輸出時(shí)，對(duì)地?zé)o放電、無(wú)泄漏、無(wú)聲響。
◆大屏幕中文提示操作，RS232微機(jī)接口。儀器自帶打印機(jī)，及時(shí)打印測(cè)試數(shù)據(jù)。
◆抗能性能儀器采用*抗震設(shè)計(jì)，可耐震，不損壞。

◆攜帶方便：該儀器體積約為同類產(chǎn)品的70%，攜帶十分方便。

SXJS-IV出口型智能化介質(zhì)損耗測(cè)試儀技術(shù)指標(biāo) ：
1、環(huán)境：-5℃～40℃（液晶屏應(yīng)避免長(zhǎng)時(shí)間日照）
2、相對(duì)濕度：30%～70%
3、供電電源：電壓：220V±10%，頻率50±1Hz
4、外形尺寸：長(zhǎng)*寬*高=500mm*300mm*400mm
5、重量：28kg
6、輸出功率：1.5KVA
7、顯示分辨率：3位、4位（內(nèi)部全是6位）
8、測(cè)試方法：正接法、反接法、外接試驗(yàn)電壓法
9、測(cè)量范圍：內(nèi)接試驗(yàn)電壓：≤60000PF（10KV電壓大于30000PF）
外接試驗(yàn)電壓：由外接試驗(yàn)變壓器輸出功率而定
10、基本測(cè)量誤差：
介質(zhì)損耗（tgδ）：1%±0.04%
電容容量（Cx）：1%±1pF

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